Deck 4: Bipolar Junction Transistors
سؤال
سؤال
سؤال
سؤال
سؤال
سؤال
سؤال
سؤال
سؤال
سؤال
سؤال
سؤال
سؤال
سؤال
سؤال
سؤال
سؤال
سؤال
سؤال
سؤال
سؤال
سؤال
سؤال
سؤال
سؤال
سؤال
سؤال
سؤال
سؤال
سؤال
سؤال
سؤال
سؤال
فتح الحزمة
قم بالتسجيل لفتح البطاقات في هذه المجموعة!
Unlock Deck
Unlock Deck
1/33
العب
ملء الشاشة (f)
Deck 4: Bipolar Junction Transistors
1

Refer to the figure above. If the value of VBB were increased to 10 V, the transistor would be operating in
A)the active region.
B)cutoff.
C)saturation.
D)Cannot be determined.
C
2
The base- to- emitter junction of a certain transistor is checked with a DMM on diode check in the forward bias direction. If the DMM indicates 0.700, the transistor is
A)germanium and measuring normal.
B)open between the base and emitter.
C)silicon and measuring normal.
D)definitely defective.
A)germanium and measuring normal.
B)open between the base and emitter.
C)silicon and measuring normal.
D)definitely defective.
C
3
A BJT has an IB of 75 µA and a fidc of 100. The value of IC is
A)7.5 mA.
B)10 mA.
C)75 mA.
D)175 µA.
A)7.5 mA.
B)10 mA.
C)75 mA.
D)175 µA.
A
4
An open base resistor RB)in a transistor switch will result in the
A)transistor being instantly destroyed.
B)transistor always being ON.
C)transistor always being OFF.
D)transistor operating in the active region.
A)transistor being instantly destroyed.
B)transistor always being ON.
C)transistor always being OFF.
D)transistor operating in the active region.
فتح الحزمة
افتح القفل للوصول البطاقات البالغ عددها 33 في هذه المجموعة.
فتح الحزمة
k this deck
5

Refer to the figure above. This circuit is operating
A)in saturation.
B)in the active region.
C)incorrectly because the bias voltages are wrong.
D)in cutoff.
فتح الحزمة
افتح القفل للوصول البطاقات البالغ عددها 33 في هذه المجموعة.
فتح الحزمة
k this deck
6

Refer to the figure above. The value of IB is
A)8.6 mA.
B)860 µA.
C)0.7 µA.
D)1 mA.
فتح الحزمة
افتح القفل للوصول البطاقات البالغ عددها 33 في هذه المجموعة.
فتح الحزمة
k this deck
7

Refer to the figure above. If this transistor is operating in saturation, the value of ICsat)is
A)42.6 mA.
B)4.26 mA.
C)9.4 mA.
D)28.6 mA.
فتح الحزمة
افتح القفل للوصول البطاقات البالغ عددها 33 في هذه المجموعة.
فتح الحزمة
k this deck
8
The signal voltage gain of an amplifier, AV, is defined as
A)AV = IB x RB.
B)AV = Rc .
C)AV = Vout .
D)AV = r'e .
Vin RC
A)AV = IB x RB.
B)AV = Rc .

C)AV = Vout .
D)AV = r'e .
Vin RC
فتح الحزمة
افتح القفل للوصول البطاقات البالغ عددها 33 في هذه المجموعة.
فتح الحزمة
k this deck
9
When a transistor switch is on, the collector current is limited by
A)the base voltage.
B)the collector resistance.
C)the base current.
D)the base resistance.
A)the base voltage.
B)the collector resistance.
C)the base current.
D)the base resistance.
فتح الحزمة
افتح القفل للوصول البطاقات البالغ عددها 33 في هذه المجموعة.
فتح الحزمة
k this deck
10
Besides operating as an amplifier, the BJT is often applied as a
A)varactor.
B)voltage controlled capacitance.
C)variable inductor.
D)switch.
A)varactor.
B)voltage controlled capacitance.
C)variable inductor.
D)switch.
فتح الحزمة
افتح القفل للوصول البطاقات البالغ عددها 33 في هذه المجموعة.
فتح الحزمة
k this deck
11
Normal operation of an NPN BJT requires the base to be _ with respect to the emitter, and with respect to the collector.
A)negative, negative
B)positive, negative
C)positive, positive
D)negative, positive
A)negative, negative
B)positive, negative
C)positive, positive
D)negative, positive
فتح الحزمة
افتح القفل للوصول البطاقات البالغ عددها 33 في هذه المجموعة.
فتح الحزمة
k this deck
12
The symbol hFE is the same as
A)fiDC.
B)aDC.
C)fiac.
D)hj- fj.
A)fiDC.
B)aDC.
C)fiac.
D)hj- fj.
فتح الحزمة
افتح القفل للوصول البطاقات البالغ عددها 33 في هذه المجموعة.
فتح الحزمة
k this deck
13
VCE approximately equals when a transistor switch is in saturation.
A)0.7 V
B)VB
C)VC
D)0.2 V
A)0.7 V
B)VB
C)VC
D)0.2 V
فتح الحزمة
افتح القفل للوصول البطاقات البالغ عددها 33 في هذه المجموعة.
فتح الحزمة
k this deck
14
Most of the electrons in the base of an NPN transistor flow
A)into the collector.
B)out of the base lead.
C)into the base supply.
D)into the emitter.
A)into the collector.
B)out of the base lead.
C)into the base supply.
D)into the emitter.
فتح الحزمة
افتح القفل للوصول البطاقات البالغ عددها 33 في هذه المجموعة.
فتح الحزمة
k this deck
15

Refer to the figure above. If the value of the collector resistor is increased to 6.8 k▲, the new value of ICsat)is
A)2.13 mA.
B)1.47 mA.
C)0.68 mA.
D)0 mA.
فتح الحزمة
افتح القفل للوصول البطاقات البالغ عددها 33 في هذه المجموعة.
فتح الحزمة
k this deck
16
The signal output voltage Vout)is a function of the
A)changing collector current IC)through the collector resistor RC.
B)current from base to collector.
C)voltage drop from base to collector.
D)power being dissipated by the base supply voltage.
A)changing collector current IC)through the collector resistor RC.
B)current from base to collector.
C)voltage drop from base to collector.
D)power being dissipated by the base supply voltage.
فتح الحزمة
افتح القفل للوصول البطاقات البالغ عددها 33 في هذه المجموعة.
فتح الحزمة
k this deck
17
If the collector resistance in a transistor amplifier is open, the dc voltage at the collector will be closest to
A)VCC.
B)VCC/2.
C)VBB.
D)0 V.
A)VCC.
B)VCC/2.
C)VBB.
D)0 V.
فتح الحزمة
افتح القفل للوصول البطاقات البالغ عددها 33 في هذه المجموعة.
فتح الحزمة
k this deck
18
A transistor collector characteristic curve is a graph showing
A)emitter current IE)versus collector- emitter voltage VCE)for specified values of base current IB).
B)collector current IC)versus collector- emitter voltage VC)for specified values of base current IB).
C)collector current IC)versus collector- emitter voltage VCC)for specified values of base current IB).
D)collector current IC)versus collector- emitter voltage VCE)for specified values of base current IB).
A)emitter current IE)versus collector- emitter voltage VCE)for specified values of base current IB).
B)collector current IC)versus collector- emitter voltage VC)for specified values of base current IB).
C)collector current IC)versus collector- emitter voltage VCC)for specified values of base current IB).
D)collector current IC)versus collector- emitter voltage VCE)for specified values of base current IB).
فتح الحزمة
افتح القفل للوصول البطاقات البالغ عددها 33 في هذه المجموعة.
فتح الحزمة
k this deck
19
The base of an NPN transistor is thin and
A)lightly doped.
B)doped by a pentavalent material.
C)metallic.
D)heavily doped.
A)lightly doped.
B)doped by a pentavalent material.
C)metallic.
D)heavily doped.
فتح الحزمة
افتح القفل للوصول البطاقات البالغ عددها 33 في هذه المجموعة.
فتح الحزمة
k this deck
20
A transistor amplifier has an input voltage of 67 mV and an output voltage of 2..48 V. The voltage gain is
A)27.
B)67.
C)17.
D)37.
A)27.
B)67.
C)17.
D)37.
فتح الحزمة
افتح القفل للوصول البطاقات البالغ عددها 33 في هذه المجموعة.
فتح الحزمة
k this deck
21
A 22 mV signal is applied to the base of a properly biased transistor that has an r'e = 7 ▲ and an RC = 1.2 k▲. The output voltage at the collector is
A)17.1 V.
B)3.77 V.
C)22 mV.
D)7 V.
A)17.1 V.
B)3.77 V.
C)22 mV.
D)7 V.
فتح الحزمة
افتح القفل للوصول البطاقات البالغ عددها 33 في هذه المجموعة.
فتح الحزمة
k this deck
22
In a bipolar junction transistor, collector current is controlled by
A)base current.
B)collector voltage.
C)collector resistance.
D)All of the above.
A)base current.
B)collector voltage.
C)collector resistance.
D)All of the above.
فتح الحزمة
افتح القفل للوصول البطاقات البالغ عددها 33 في هذه المجموعة.
فتح الحزمة
k this deck
23
In an NPN transistor, the majority carriers in the base are
A)free electrons.
B)holes.
C)Neither A nor B.
D)Both A and B.
A)free electrons.
B)holes.
C)Neither A nor B.
D)Both A and B.
فتح الحزمة
افتح القفل للوصول البطاقات البالغ عددها 33 في هذه المجموعة.
فتح الحزمة
k this deck
24
A transistor has a fiDC of 250 and a base current, IB, of 20 µA. The collector current, IC, equals
A)5 mA.
B)50 mA.
C)5 A.
D)500 µA.
A)5 mA.
B)50 mA.
C)5 A.
D)500 µA.
فتح الحزمة
افتح القفل للوصول البطاقات البالغ عددها 33 في هذه المجموعة.
فتح الحزمة
k this deck
25
When a transistor is operated in the active region, changes in the collector supply voltage VCC
A)produce changes in collector current.
B)have little or no effect on collector current.
C)produce changes in base voltage.
D)produce changes in emitter voltage.
A)produce changes in collector current.
B)have little or no effect on collector current.
C)produce changes in base voltage.
D)produce changes in emitter voltage.
فتح الحزمة
افتح القفل للوصول البطاقات البالغ عددها 33 في هذه المجموعة.
فتح الحزمة
k this deck
26
A bipolar junction transistor has regions of operation.
A)1
B)2
C)3
D)4
A)1
B)2
C)3
D)4
فتح الحزمة
افتح القفل للوصول البطاقات البالغ عددها 33 في هذه المجموعة.
فتح الحزمة
k this deck
27
A certain transistor has an IC = 12 mA and an IB = 125 µA. fidc is
A)15.
B)96.
C)12.
D)150.
A)15.
B)96.
C)12.
D)150.
فتح الحزمة
افتح القفل للوصول البطاقات البالغ عددها 33 في هذه المجموعة.
فتح الحزمة
k this deck
28
When transistors are used in digital circuits they usually operate in the
A)active region.
B)saturation and cutoff regions.
C)linear region.
D)breakdown region.
A)active region.
B)saturation and cutoff regions.
C)linear region.
D)breakdown region.
فتح الحزمة
افتح القفل للوصول البطاقات البالغ عددها 33 في هذه المجموعة.
فتح الحزمة
k this deck
29
The region in a transistor that has to dissipate the most heat is the
A)anode.
B)emitter.
C)base.
D)collector.
A)anode.
B)emitter.
C)base.
D)collector.
فتح الحزمة
افتح القفل للوصول البطاقات البالغ عددها 33 في هذه المجموعة.
فتح الحزمة
k this deck
30
A 35 mV signal is applied to the base of a properly biased transistor with an r'e = 8 ▲ and RC = 1 k ▲. The output signal voltage at the collector is
A)4.375 mV.
B)28.57 V.
C)4.375 V.
D)3.5 V.
A)4.375 mV.
B)28.57 V.
C)4.375 V.
D)3.5 V.
فتح الحزمة
افتح القفل للوصول البطاقات البالغ عددها 33 في هذه المجموعة.
فتح الحزمة
k this deck
31

Refer to the figure above. This circuit is saturated. To get the circuit to operate close to its linear range
A)RB should be decreased.
B)RB should be increased.
C)RC should be decreased.
D)Vin should be increased.
فتح الحزمة
افتح القفل للوصول البطاقات البالغ عددها 33 في هذه المجموعة.
فتح الحزمة
k this deck
32
In a transistor, the relation of the three transistor currents is
A)IC = IB - 2IE.
B)IE = IC + IB.
C)IC = IE + VC/RC.
D)IC = IE + IB.
A)IC = IB - 2IE.
B)IE = IC + IB.
C)IC = IE + VC/RC.
D)IC = IE + IB.
فتح الحزمة
افتح القفل للوصول البطاقات البالغ عددها 33 في هذه المجموعة.
فتح الحزمة
k this deck
33

Refer to the figure above. The voltage VCE was measured and found to be 20 V. The transistor is operating in
A)saturation.
B)the active region.
C)cutoff.
D)Not enough data to determine.
فتح الحزمة
افتح القفل للوصول البطاقات البالغ عددها 33 في هذه المجموعة.
فتح الحزمة
k this deck

